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NTLJS3180PZ
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2200
2000
1800
T J = 25 ° C
V DS = V GS = 0 V
5
4
QT
1600
1400
1200
C iss
3
V GS
1000
800
C rss
2
Q GS
Q GD
600
400
200
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
C oss
20
1
0
0
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
5 10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
15
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 3.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
1
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
100
10
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100 m s
1 ms
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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